晶圓測試
晶(jing)圓(yuan)測(ce)試(shi)是對(dui)晶圓上(shang)的(de)每(mei)個晶粒(li)進(jin)行(xing)針(zhen)測，測試其電(dian)氣(qi)特性。測試時，晶圓被固(gu)定(ding)在探(tan)針台的托盤上，探針與(yu)芯(xin)片的每一個PAD點(dian)相接(jie)觸，測試機對芯片(pian)進行電性(xing)和(he)功能測試並(bing)記(ji)錄下結(jie)果，區分(fen)良品和不(bu)良(liang)品。具(ju)備(bei)12吋、8吋、6吋、5吋和4吋(cun)晶圓測試能(neng)力(li)，包(bao)含(han)17nm、22nm、28nm等(deng)先(xian)進製(zhi)程(cheng)以(yi)及28nm以上晶圓的全(quan)部成熟製程。能夠(gou)測試指紋(wen)識(shi)別(bie)、消(xiao)防安(an)全、藍(lan)牙(ya)、電源(yuan)管(guan)理(li)、MCU、濾波(bo)器、光(guang)通(tong)信(xin)等多種應用(yong)類型(xing)。
晶圓測試流(liu)程：
測試設備：V93K、J750HD、D10、NI STS T4、S100、S50、STS8200、T862、TR6850S、TR6836S、Chroma3360D/3360P/3380、V50、TQT500、JC5600、SC312、T5503/5371、DST1000
探針台：UF3000、UF200SA
晶圓測試 MAPPING圖分BIN 定義(yi)功(gong)能
光電芯片，CMOS SENSOR測試能力
